作者capsss ()
看板NEMS
標題[問題] S1813 小線寬的lift off
時間Mon Feb 27 10:02:06 2012
大家好
我目前的實驗是要用正光阻S1813曝光 用100度軟烤3m30s
在光阻層上面鋪上邊長是3um/1.5um/1um的孔洞 周期6um*6um
顯影一分鐘
最後在用熱蒸鍍機鍍上金
lift之後便成金屬island薄膜
可是我發現我lift之後即使使用超音波震盪機
在顯微鏡之下仍然可以看出有部分光阻殘留
因為我後續製成要送入PECVD長SiO2 所以不能有光阻殘留
所以請問各位先進是否有什麼方法可以建議讓我解決lift off不乾淨的問題
謝謝
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.218.154
1F：→ jamesII:烤太久乾掉? GOOGLE是115C 60S try 105C 120s for liftoff 02/27 18:29
2F：推 SkyLark2001:可放進硫酸加雙氧水中，短時間(數分鐘)內不會對你的金 02/27 20:39
3F：→ SkyLark2001:有顯著影響。或是使用專門溶正光阻的熔劑比方EKC830 02/27 20:40
4F：→ SkyLark2001:加熱使用效果極佳 02/27 20:41
5F：→ capsss:謝謝樓上二位 但是因為我的結構中有SiO2 不大適合放硫酸加 02/27 22:31
6F：→ capsss:雙氧水 另外如果不烤這麼乾我好像曝光的時後 光罩一壓上去 02/27 22:31
7F：→ capsss:繞射條紋就變很多 因位我還要第二道同樣圖形對準 02/27 22:32
8F：→ capsss:我怕在Wafer下面墊上濾紙會使得對準不準 02/27 22:33
9F：推 Colula:加熱丙酮煮沸5min +UV Ozone 120C 20min, 一定乾淨 03/22 00:25