作者james144500 (bs)
看板NEMS
標題[問題] 關於濺鍍HfO2之後lift-off的問題
時間Thu Jan 12 15:49:27 2012
大家好
小弟想請教一下版上的版友是否有濺鍍HfO2的經驗
目前是透過sputter濺鍍HfO2在GaN上面
首先是透過黃光製程定義圖案
使用光阻為AZ1400並透過OM檢查圖案正常
濺鍍條件如下:
真空度為5mtorr,瓦數為50W
氬氣/氧氣比為20/10sccm
在不加溫條件下濺鍍一小時
之後放入丙酮一小時再利用超音波震盪器30分
再透過SEM檢查發現沒有完全lift-off
所以上來請有經驗的版友指導一下小弟是否哪裡可以改進
如果有哪邊描述不清楚歡迎提問
謝謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.116.216.178
1F：→ astushi:應該是要考慮光阻的硬烤溫度 01/13 00:29
2F：→ james144500:你好~請教一下 硬烤是指進濺鍍機時需要硬烤嗎? 01/13 01:01
3F：推 astushi:就是顯影完後的烤，我的經驗是這個時間跟溫度很重要，給你 01/13 23:05
4F：→ astushi:參考，不一定對XD只是經驗分享 01/13 23:06
5F：→ james144500:感謝告知! 01/14 02:00