作者tienyushen (玉神集團)
看板NEMS
標題[問題] PAD移除保護層
時間Thu Dec 15 03:03:29 2011
請問各位先進
目前使用TSMC CMOS MEMS製程製作晶片。
由於後製需要金屬蝕刻，所以PAD上方的保護層尚未打開。
目前的困難點在於現今後製已完成，
採用雷射切割機去切PAD上方的保護層，
但雷射一打下去，PAD就出現黑色區塊
不知是金屬反應還是殘餘物。
因為拿去震洗也震不掉...
請問這樣的反應是正常嗎?
目前已經有量到電阻值(但我是做一顆電容???)
是殘餘物的影響嗎???
想請有使用此製程的前輩指教一下
雷射切割機的頻率設定?或切割次數要多少才會正常切割?
或是我目前的狀況是正常的呢??
感恩~
--
╓═══ ═════ 玉神集團 ═════ ═══╖
玉神電子 <科技玉神。精密製程> 玉神人壽 <守護玉神。保障人生>
玉神旅遊 <逍遙玉神。完美旅程> 玉神出版 <知識玉神。豐富人生>
玉神航空 <飛行玉神。便捷行程> 玉神銀行 <理財玉神。財富一生>
╙═════════ ══════ ═════════╜
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.230.214
1F：推 bb7:黑色的表示燒焦了吧.... 12/16 11:39
2F：→ jam46:以前下過TSMC .35 2p4m 製程，我是用濕蝕刻來開保護層，也不 01/04 17:51
3F：→ jam46:好開... 囧 01/04 17:51