作者toptom (活老百姓)
看板NEMS
標題Re: [問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻
時間Wed Sep 28 09:49:11 2011
※ 引述《SkyLark2001 ( )》之銘言：
: ※ 引述《areckin (女王萬歲)》之銘言：
: → areckin:我那層光阻大概有200~300nm的厚度,我用20sccm,0.02mbar, 04/10 12:18
: → areckin:1~2min吃完後掃AFM凹進去的地方仍然不是平坦的wafer表面 04/10 12:19
: → areckin:有人有更好的蝕刻參數可以提供給我測試嗎? 04/10 12:25
: 推 SkyLark2001:看樣子是壓印吧，關於壓印清光阻的相關文獻多到不能再 04/11 04:21
: → SkyLark2001:多，你可以參考一下 04/11 04:21
: → areckin:有參考過但是文獻提到的RIE參數似乎不太適用..都吃不乾淨 04/11 10:04
: → areckin:沒錯,我的結構是壓印得到的但是殘餘光阻厚度我沒法估計 04/11 10:07
: 要看殘餘光阻的話去SEM照切面吧~
: 另外，RIE oxygen plasma清光阻(descum)的側向蝕刻不會太誇張，
: 所以你文獻找一個看得順眼的RIE descum參數，吃不乾淨的話吃久一點不就好了?
: 一分鐘不行就兩分鐘，兩分鐘不行就三分鐘，總會吃的乾淨的(不過我建議以30s當間距)
: 另外RIE還有一個重要的參數是RF Power的瓦數。我看你沒問到所以提醒你一下 :)
一般光阻要測蝕的話需用添加一些CF4這樣會比較快
其配比1000/10
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