作者tingyu1027 (tingyu1027)
看板NEMS
標題[問題] PMMA as mask dry etch SiNx 問題 @@
時間Fri Jun 24 11:34:27 2011
實驗上遇到一些問題, 不知道各位有遇到這些問題嗎
最近使用乾蝕刻..用PMMA A5 顯影後當mask (spin 2000rpm, 45sec, thinkness ~528nm)
用交大奈中的HDP-RIE...要etching SiNx (~400nm)
試過了許多參數, PMMA都吃很快 >"<
有甚麼好的配方嗎 ??, 不管是ICP power等等的...
謝謝個位指教..^^
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◆ From: 140.113.29.138
1F：推 Jeffch:為啥不用厚一點的resist?? 06/24 13:39
2F：→ tingyu1027:拍謝...忘了說,因為我用E-beam寫的, 所以不能太厚..^^ 06/24 13:44
3F：推 Jeffch:SF6/O2? 如果是的話selectivity~1還蠻正常的... 06/25 01:42
4F：→ tingyu1027:謝謝J大,不知能知道SF6/O2參數嗎^^,之前用CHF3-50,O2-5 06/25 14:21
5F：→ tingyu1027:但也是不好 >"<... 06/25 14:22