作者melvyn (Aeneas)
看板NEMS-
標題[問題] 光阻去不完全
時間Thu May 5 16:40:35 2011
我最近在作黃光顯影的pattern
做完之後，鍍上金，要去光阻卻發現，光阻去不完全
不曉得是什麼原因，原本是用sputter鍍金
後來討論之後，才知道sputter的金鍍上去會太穩固
改用e-beam鍍金後，再做一次去光阻
結果用肉眼看，就明顯看到基板上的光阻沒去完
原本以為只是個小實驗，卻拖了這麼久
我現在想到的唯一問題是出在光阻，因為光阻到期時間是2009年
ps.光阻是EPG-512，顯影液EPD-1000
光阻厚度約1μm
預烤150度 45min
軟烤90度 30min
硬烤120度 30min
接觸式曝光機 70v 300w
uv照射時間4.8s
顯影時間 25s
鍍上10nm的金
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.128.194.201
1F：→ shtsao:原PO是在做舉離(lift-off)嗎 05/05 17:18
2F：→ shtsao:可以用加熱顯影液的方式or 加熱丙酮 05/05 17:19
3F：→ melvyn:恩 我是在做lift-off s大是說加熱丙酮??在去做lift-off?! 05/05 17:32
4F：推 oreoctrl:烤的時間是data要求的嗎? 正光阻1um 應該不用這麼久阿 05/05 17:34
5F：→ oreoctrl:我是使用AZ系列，加熱過久的光阻會比較難移除 05/05 17:36
6F：→ melvyn:我這是學長留下來的數據，因為學長之前做的都ok 05/05 17:46
7F：→ melvyn:我想仿照做一次，才發現有很多問題 05/05 17:47
8F：推 nevinyrrals:丟到丙酮裡面拿去超音波震一震就OK了 05/05 18:50
今天試過了一些方法
1)丙酮+超音破震盪機震了3小時→光阻未去除
2)丙酮加熱到45度C，維持45度C，手拿夾子夾樣品晃了30分鐘→光阻未去除
3)過氧化氫+硫酸，(用量調配4:1；3:1；2:1；1:1)→光阻未去除
沒試過將硫酸調高比例，因為我怕硫酸會腐蝕表面的金薄膜
4)最後微影後的硬烤時間縮短，目前正在試
(時間由原本的30min調整為25；20；15)
如果還是不行，我是不是要換一罐新的EPG-512了啊?!
因為已經過期兩年了
※ 編輯: melvyn 來自: 140.128.194.201 (05/05 20:03)
9F：推 kuanun:降低硬烤溫度跟軟烤溫度一樣試試看 05/05 22:03
10F：推 vivianleigh:要做lift-off就不要硬烤了 05/05 22:08
11F：推 Jinuse:應該不是光阻過期的關係 ACE去不掉的話可以降硬烤溫度 05/05 22:53
12F：→ Jinuse:或是用專業的PR STRIPPER 例如我們用ALEG系列的 很好用 05/05 22:53
13F：→ Jinuse:另外你的PROCESS寫得很怪 沒有照時間順序 這樣比較難討論 05/05 22:54
嗯哼...那我重打一遍我的流程
首先，樣品先經過丙酮、IPA、DI洗滌 (樣品為不銹鋼與Silicon oxide)
預烤 150度C 45分鐘
上光阻(光阻型號：EPG-512)，利用旋轉塗佈機
旋轉塗佈機 設定STEP 1： 轉速 1000；秒數 5秒
STEP 2： 轉速 6000；秒數 40秒
接著，軟烤 90度C 30分鐘
開始曝光顯影，採用接觸式曝光機
曝光機 設定 70V；300W
曝光秒數：4.8秒
進行顯影，顯影液型號EPD-1000
顯影秒數：25秒
顯影完後，使用DI沖洗，DI沖洗時間：25秒
在進行最後硬烤 120度C 30分鐘
接著使用E-beam鍍金，電流：121mA
鍍金厚度為10nm
然後進行舉離，使用過的方法就如同上面修改文章後說的
※ 編輯: melvyn 來自: 220.131.64.35 (05/05 23:33)
14F：推 nevinyrrals:不然就不要硬烤?我做lift-off軟烤顯影完就丟進去E-gun 05/06 11:43
15F：→ nevinyrrals:通常硬烤是要用強腐蝕性物質etching才要硬烤 05/06 11:47
16F：推 quaintness:lift-off 還硬烤 還烤那麼久...○rz 05/06 13:29
17F：推 threedices:都要lift-off了..真的不必烤到硬.. 05/06 13:54
18F：→ threedices:光10nm Au 真的黏的住嗎? (還有看的到嗎?) 05/06 13:55