作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
標題Re: [問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻
時間Mon Apr 11 14:44:04 2011
※ 引述《areckin (女王萬歲)》之銘言：
1F：→ areckin:我那層光阻大概有200~300nm的厚度,我用20sccm,0.02mbar, 04/10 12:18
2F：→ areckin:1~2min吃完後掃AFM凹進去的地方仍然不是平坦的wafer表面 04/10 12:19
3F：→ areckin:有人有更好的蝕刻參數可以提供給我測試嗎? 04/10 12:25
4F：推 SkyLark2001:看樣子是壓印吧，關於壓印清光阻的相關文獻多到不能再 04/11 04:21
5F：→ SkyLark2001:多，你可以參考一下 04/11 04:21
6F：→ areckin:有參考過但是文獻提到的RIE參數似乎不太適用..都吃不乾淨 04/11 10:04
7F：→ areckin:沒錯,我的結構是壓印得到的但是殘餘光阻厚度我沒法估計 04/11 10:07
要看殘餘光阻的話去SEM照切面吧~
另外，RIE oxygen plasma清光阻(descum)的側向蝕刻不會太誇張，
所以你文獻找一個看得順眼的RIE descum參數，吃不乾淨的話吃久一點不就好了?
一分鐘不行就兩分鐘，兩分鐘不行就三分鐘，總會吃的乾淨的(不過我建議以30s當間距)
另外RIE還有一個重要的參數是RF Power的瓦數。我看你沒問到所以提醒你一下 :)
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◆ From: 67.161.91.236
※ 編輯: SkyLark2001 來自: 67.161.91.236 (04/11 14:50)
※ 編輯: SkyLark2001 來自: 67.161.91.236 (04/11 14:53)
8F：推 areckin:抱歉,我用的power是40watt這樣會太強嗎? 04/11 15:12
9F：→ SkyLark2001:我沒做過壓印sorry,不過你的RIE參數跟我descum的很近 04/11 16:37
10F：推 areckin:恩,那我加長時間吃看看吧,我只怕結構的線寬會因為蝕刻太久 04/11 16:49
11F：→ areckin:導致線寬跑掉太多 04/11 16:50
12F：→ SkyLark2001:不會，你只要抓好時間，剛好把薄的部分吃光 04/11 17:15