作者areckin (女王萬歲)
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標題[問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻
時間Sat Apr 9 16:32:48 2011
請問在使用O2 RIE蝕刻擁有grating結構的光阻時
要如何選擇氣體流量(快慢)、工作壓力(高低)、蝕刻時間(長短)
才不會蝕刻完結構有明顯的改變?
我蝕刻的主要目的是要把凹進去的殘餘光阻吃掉
好讓silicon露出來
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photoresist
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silicon wafer
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 175.181.131.101
1F：推 Zoma:深寬比是多少呢? 04/09 20:59
2F：→ areckin:有1:1和2:1(寬:深)的 04/09 23:18
3F：推 Zoma:這樣的深寬比應該還好...不用像ICP作側壁保護~但也沒辦法就是 04/10 01:07
4F：→ Zoma:不能用曝光的方式顯掉不要的光阻嗎?用蝕刻的要用啥當遮罩呢? 04/10 01:08
5F：推 kuanun:應該只是想有uv o3 那種效果把殘餘光阻清一清? 04/10 02:02
6F：→ areckin:我那層光阻大概有200~300nm的厚度,我用20sccm,0.02mbar, 04/10 12:18
7F：→ areckin:1~2min吃完後掃AFM凹進去的地方仍然不是平坦的wafer表面 04/10 12:19
8F：→ areckin:有人有更好的蝕刻參數可以提供給我測試嗎? 04/10 12:25
9F：推 SkyLark2001:看樣子是壓印吧，關於壓印清光阻的相關文獻多到不能再 04/11 04:21
10F：→ SkyLark2001:多，你可以參考一下 04/11 04:21
11F：→ areckin:有參考過但是文獻提到的RIE參數似乎不太適用..都吃不乾淨 04/11 10:04
12F：→ areckin:沒錯,我的結構是壓印得到的但是殘餘光阻厚度我沒法估計 04/11 10:07