作者mrjoker (>﹏<)
看板NEMS
標題[問題] 多晶矽薄膜缺陷計算
時間Wed Nov 3 11:49:32 2010
※ [本文轉錄自 comm_and_RF 看板 #1CnbyE7R ]
作者: mrjoker (>﹏<) 看板: comm_and_RF
標題: [問題] 多晶矽薄膜缺陷計算
時間: Tue Oct 26 12:54:35 2010
目前研究碰到一個問題
多晶矽薄膜製備完成後，需要去計算薄膜中的缺陷密度
一般文獻上是以濕蝕刻的方式將缺陷etching出來後以SEM或OM去計算他的數量
但因為我的薄膜只有約300nm厚，無法承受缺陷蝕刻
因此想請教大家
除了缺陷蝕刻之外，是否有其他方式(ex.電性量測)可以做一個定量的計算?
如果以電性量測出diffusion length或carrier life time能做一個間接的定量分析嗎?
煩請大家提供意見，謝謝!!
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