1.原文連結：連結過長者請使用短網址。 https://reurl.cc/9vQZaa 2.原文標題：標題須完整寫出且須符合內文(否則依板規刪除並水桶)。 台積電改變想法？ASML 證實年底交貨 High-NA EUV 曝光機 3.原文來源(媒體/作者)：例:蘋果日報/王大明(若無署名作者則不須) TechNews!科技新報/Atkinson 4.原文內容：請刊登完整全文(否則依板規刪除並水桶)。 半導體曝光機大廠艾司摩爾 (ASML) 已交貨英特爾 (Intel) 首台商用 High-NA EUV 曝光 機並安裝完畢，英特爾院士 Mark Phillips 確認設備年底啟用。相較英特爾，台積電似 乎不急著加入競賽，台積電已於荷蘭技術論壇表明不立即購入這款昂貴半導體製造設備。 台積電表示幾年內都不需要高階 EUV，且價格也非常高昂。分析師預測，台積電可能要 到 2030 年甚至更晚才會購入 EUV。 不過才過幾個月，台積電似乎改變想法。外媒報導，ASML 發言人 Monique Mols 說年底 會交貨每套價值 3.8 億美元的 High-NA EUV，ASML 財務長 Roger Dassen 也證實，兩大 客戶台積電和英特爾年底會收到 High-NA EUV。受此消息影響，ASML 股價開盤後上漲超 過 6%。 英特爾 2022 年宣布簽約購買五套 TWINSCAN NXE:3600D，2025 年 Intel 18A 先進製程 測試與訓練。先進曝光技術是尖端晶片製造不可或缺的關鍵，且 High-NA EUV 有望降低 66% 晶片大小。ASML 官方透露，High-NA EUV 比標準 EUV 體積大 30%，需三架以上波 音 747 貨機運載。 台積電已宣布，2 奈米製程發展順利，並 2025 下半年推出 N3X、N2 製程，2026 下半年 量產 N2P 和 A16 先進製程。與已量產 3 奈米不同，將量產的 2 奈米為 Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體，較 3 奈米性能提升 10%~15%，功耗降低 25%~30%。 台積電董事長魏哲家缺席年度技術論壇台北場，改拜訪荷蘭 ASML 總部，外界解讀為台積 電對 High-NA EUV 的態度轉變，因接下來先進製程不可或缺性與競爭對手英特爾已購入 設備，故台積電下一步動作對維持市場優勢都是關鍵，值得後續觀察。 5.心得/評論：內容須超過繁體中文30字(不含標點符號)。 FINFET的發展已經走到盡頭，接下來是GAAFET的全新戰場 雖然不曉得台積電當時的想法和現在的想法落差如此巨大的原因 但是三星和英特爾都在虎視眈眈 不能拿未來去賭"他們是否有能力製造最先進的製程"，要直接搶在他們前面 後面甚至還有一位"不惜任何代價"、"集全國之力"，各種名義上都是"敵"手的人 尤其是黃仁勳、蘇姿丰等科技界大咖都在陸續加碼台灣的現在 如同文章最後所說，台積電下一步動作對維持市場優勢都是關鍵 --

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