作者havochuman (嗨嗨嗨嗨嗨嗨)
看板MobileComm
標題Re: [討論]mobile cpu的極限在那
時間Wed Jun 1 23:16:33 2016
※ 引述《cake51640 (uuuu4ni)》之銘言：
: 手機到目前為止已經進步到820 14奈米製成了
: 然而桌機的cpu已經很久沒有大幅突破了，大部分的進步都是內建gpu的進步
: 矽的製成極限是7奈米距離7奈米前製成還可以有一波10奈米製成
: 但手機還有散熱問題要解決因為他不像桌電可以裝空冷 水冷 大部分手機目前還是利用散
: 熱銅片解決發熱的問題
: 手機目前要克服的領域是什麼
: gpu還是 散熱 或者 cpu 效能
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: 題外話好懷念女板哦沒事情不想去滴卡看幻想文啊
發表一下淺見
其實你把台積電代工的CPU 拿去切TEM 其實也不是真的14nm
都是等效線寬 等效poly_cd
FINFET的gate length都是用等效來看
就像是在28nm走向high k metal gate,gate oxide厚度也都是等效厚度 扯遠了
簡單說就是效能會持續走在摩爾定律的路上
下面幾代應該還不用擔心啦
而且EUV也要出了 手機效能每代進步在這10年都是可以看到的
反而是手機跟電腦 其實效能都過剩
現在入門機種 大概就可以應付80%以上的app需求了
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.228.229.17
※ 編輯: havochuman (36.228.229.17), 06/01/2016 23:17:16
1F：推 br2658 : 可以解釋一下FinFET的等效gate lengh是怎麼等效嗎 06/01 23:20
2F：→ jhshen15 : 等效是指電性上等效嗎? 06/01 23:28
3F：→ jinshun : 可以從第一個字解釋到最後一個字嗎? 06/01 23:40
4F：推 lucky789741 : 先推才不會被說不懂 06/01 23:41
5F：→ DiChik : 14/16其實都算灌水啦 06/01 23:42
6F：推 hsman : 哦哦果然是這樣!跟我想的一樣 06/01 23:51
7F：推 d82232004 : 因為FinFET性能比較好 所以就像比較小線寬的Planar 06/02 00:03
8F：推 kakasi987 : 差不多是醬子 06/02 00:06
9F：推 carter7013 : 可以全部解釋嗎 06/02 00:15
10F：推 gerald655034: 摩爾定律有學過資訊相關的應該都學過 可以上網查 06/02 00:20
11F：推 qqppzzmm : 看不懂給推 06/02 00:56
12F：推 aries5420 : 喔…！ (誰有翻譯蒟蒻 06/02 12:06
13F：推 Behave : 哈哈哈我就知道 (其實看不懂orz 06/02 13:47