作者xxxorc (hghg)
看板Grad-ProbAsk
標題[理工] [電子] 想請問有關MOS FET 通道問題
時間Thu Aug 26 22:38:06 2010
如題 想請問依個NMOS 是如何產生其通道的呢?
1 由+VG 將P基版之少數載子吸至SIO2
疑問 P基版之少數載子濃度不是非常低嗎 真的能當通道??
2 由+VG 將 兩端N+ 之多數載子吸至SIO2
疑問 NEAMEN沒這樣寫 且如果是這樣的話
要V threshhole 臨界電壓作啥
請問是1 OR2
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.143.156.152
※ 編輯: xxxorc 來自: 220.143.156.152 (08/26 22:41)
※ 編輯: xxxorc 來自: 220.143.156.152 (08/26 22:41)
1F：→ xxxorc:改不了標題 @@ 誰教教我 08/26 22:44
2F：推 jamtu:按大T 08/26 22:58
3F：→ xxxorc:J大謝了 08/26 23:08
4F：推 sean456:吸引少數載子到達強反轉就可以形成明顯的通道 08/27 03:03
5F：→ xxxorc:明顯 ?? 明顯的定義? 不用考慮濃度? 08/27 12:03
6F：推 sean456:強反轉 08/27 13:14
7F：推 sean456:P型材料的表面會"反轉"成N型而且濃到要到達某個值 08/27 13:27
8F：→ sean456: 濃度 08/27 13:27
9F：→ xxxorc:OK 感謝S大 您的想法應該是跟我看NEAMEN得到的感想是一樣 08/27 20:54