作者kuanfu (黑暗騎士)
看板Examination
標題[課業] N型跟P型半導體多數載子濃度問題
時間Sun Jun 2 18:08:42 2013
之前看書提到本質半導體的自由電子跟電洞濃度相等 所以n=p=ni^2
而N型半導體多數載子是自由電子 少數載子是電洞 因為N型摻雜的是五價原子
所以多數載子濃度n等於摻雜濃度Nd P型半導體多數載子濃度p等於摻雜濃度Na
如果是大量摻雜的話多數載子濃度才會近似於摻雜濃度這個很合理
可是我看函授老師講的是摻雜五價或三價原子只是少量摻雜而已 但是多數載子濃度卻還是
近似於摻雜濃度 這樣是老師講錯了還是我理解有問題?
板上前輩可以幫我解釋一下嗎?
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◆ From: 114.47.24.225
※ 編輯: kuanfu 來自: 114.47.24.225 (06/02 18:09)
1F：→ exceedMyself:~10^22個矽原子/立方公分 摻雜~10^16個雜質/立方公分 06/02 19:15
2F：→ exceedMyself:雜質濃度比Si少但比ni(~10^10)高 應該是這樣吧 06/02 19:16
3F：→ exceedMyself:應該是少量摻雜是相對矽原子數來說是少量 06/02 19:19
4F：→ exceedMyself:但還是比本質濃度高 06/02 19:20
5F：→ a1988152002:N=(NA*ND)/(NA+ND) NA>>ND N=ND 分母分子的NA約掉了 06/02 19:24
6F：推 spps123:矽原子濃度不等於本質濃度,這點你要先搞清楚~ 06/02 22:46
7F：→ spps123:隨著溫度的升高，才會有越多的原子會解離成本質濃度~ 06/02 22:47