作者ulzxm (神劍)
看板Electronics
標題[問題] 關於MOSFET Vth量測方式
時間Tue Sep 6 22:05:24 2022
小弟有個問題，一般在晶圓廠量測Vth的方式通常如下
(1) 固定Vds (ex: 0.9V)，然後掃Vgs，當量到Id=Itar*(W/L)時 記錄當下的Vgs=Vth
其中Itar一般設定100nA
可是最近在看一般功率元件的MOSFET data sheet時，不管是Si or GaN or SiC
很多都是用如下的方式在取Vth
(2) Vgs=Vds, Id=250uA
這裡想請教的是(2)裡面為什麼要讓Vgs=Vds ? 又為何Id要固定在250uA這個數字?
謝謝!!
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1F：推 god145145: 我猜是以前IV機最合適的設定就這樣 09/07 19:17
2F：→ godnnn: Itar is not always 100nA. it depends on usage and re 09/08 00:03
3F：→ godnnn: quirement of device. 09/08 00:03