作者newwrite (jikk)
看板Electronics
標題[問題] 開關的切換損耗原理
時間Wed Jun 8 22:59:20 2022
在開關電路中
因為開關暫態現象導致切換時會有動態損耗發生
一般說明也只會丟ID-VD的圖，
VD緩步上升時，ID沒有馬上降到零所以有功耗，
配合文字"是因為MOSFET電容造成的，
但沒有解釋原理，
還有ZCS與ZVS如何達成的原理也沒解釋，
請問有哪個資料會說明比較詳細？
感謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.26.0.97 (臺灣)
※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Electronics/M.1654700362.A.068.html
1F：→ samm3320: clock不斷在跑的時候，mos的寄生電容會一直進行充放電造 06/09 01:19
2F：→ samm3320: 成的功耗 06/09 01:19
3F：→ samm3320: 你去修任何一門VLSI 的課都會講 06/09 01:20
4F：→ DamnKobe: 找ti driver的application notes 這一般再加上VGS圖會 06/09 01:23
5F：→ DamnKobe: 比較好瞭解吧 06/09 01:23
7F：→ samm3320: 把這個網站看完應該差不多了 06/09 01:24
8F：→ DamnKobe: ZVS, ZCS基本概念應該可以說成讓電壓/電流產生想要的相 06/09 01:24
9F：→ DamnKobe: 位差吧 06/09 01:25
10F：→ samm3320: ZVS ZCS好像已經比較power專門了 06/09 01:30
11F：推 icesweater: dynamic loss, switching loss,領域不同叫法不一樣， 06/10 13:25
12F：→ icesweater: 不過都是看導通時的mos寄生電容跨壓 06/10 13:25
14F：→ macgyfu: al%20Document/AN005?ForceDevice=1&devicename=Richtekw 06/13 09:02
15F：→ macgyfu: eb&sc_lang=zh-TW 06/13 09:02