作者darksoul8507 (soul)
看板Electronics
標題[問題] 關於vth
時間Fri Nov 19 15:17:18 2021
各位前輩大家好：
本來小弟對mos的臨界電壓vth會改變的認知是像電子學上面提到的，會因為bodyeffect而
改變，
但是實際去sim hspice時發現vth會因為尺寸或是其他原因而改變，
想要請問一下mos元件的vth會因為什麼改變以及改變的原因為何？
謝謝各位大大
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1F：→ samm3320: Short channel effect 11/19 18:42
2F：→ samm3320: STI effect 11/19 18:43
3F：推 tino676767: Hspice可以查BSIM4 manual 11/19 22:44
4F：推 bt092001: 還有wpe跟lod effect，半導體元件本身就不是理想的，光 11/20 10:36
5F：→ bt092001: 是物理od 的長相不一樣或是不同種類mos蓋的光罩層不一 11/20 10:36
6F：→ bt092001: 樣，一定會也有差，甚至離body距離也有差，覺得不用糾 11/20 10:37
7F：→ bt092001: 結這部分，如果想詳知原理可以查樓上先進還有這邊提到 11/20 10:37
8F：→ bt092001: 的關鍵字，實務上只要知道怎用，透過製程廠的manuel 大 11/20 10:37
9F：→ bt092001: 概知道不同元件的範圍即可 11/20 10:37
10F：推 a12349221: vth公式很長一串，網路上找找 11/22 07:29
11F：→ darksoul8507: 喔喔本來以為vth大概是定值或是與WL的比例有一定趨 11/22 09:00
12F：→ darksoul8507: 勢關係 11/22 09:00
13F：→ darksoul8507: 感謝樓上各位先進的回覆 11/22 09:00
14F：推 joshhuang100: 柵極功函數, 基板參雜/材料 11/23 01:21
15F：推 yoyoyoyoman: 半導體物理去看一下MOS那章就知道了 11/23 10:52
16F：推 hellk: 大學課本的vth 沒有參考製程因素的簡化公式把 11/24 11:22
17F：→ hellk: 真的把每個參數 套入不同製程的公式 會變成超長一串 11/24 11:23
18F：推 ioeve: lod, wpe, pse,...... ... 11/24 12:34
19F：→ mmonkeyboyy: 就看bsim啊 11/24 13:43