作者redDest (紅紅)
看板Electronics
標題[請益] 請問layout如何將body接到source?
時間Wed Dec 30 22:17:08 2020
跑lvs發現節點有問題
https://i.imgur.com/zLwd2ws.jpg
左邊是layout跑出來的結果
3顆mos的body端都接在一起
右邊是想得到的結果
mos a和mos b並聯一端接地，一端再和mos c串聯
下面是有問題的layout
https://i.imgur.com/w6NDbbe.jpg
source和drain的部分我是這樣想的
請問怎麼調整能改動body接到的位置？
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.142.6.244 (臺灣)
※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Electronics/M.1609337830.A.7DF.html
1F：推 Vtkg: 經驗不足沒畫過這種orz 不過建議可以查一下deep n-well是否 12/30 22:39
2F：→ Vtkg: 有特別的畫法~ 12/30 22:39
3F：→ redDest: 謝謝，我會往這個方向查查看 12/30 22:42
4F：→ kameng: 這種要用Deep N-well把body不是接substrate的NMOS包起來 12/30 23:16
5F：→ kameng: *及N well 12/30 23:17
6F：推 mmonkeyboyy: 再分開畫一個well 12/30 23:28
7F：推 steven851015: 圍gard ring 12/31 01:14
8F：→ mmonkeyboyy: 對 不過要怎樣圍要看說明書 12/31 02:54
9F：→ mmonkeyboyy: 一般都是好幾個F起跳 距離會拉大不少 12/31 02:57
10F：推 andyping: 我的習慣是三個ring隔開 12/31 08:31
11F：推 andyping: 一般會在regulator電路 或是高速的op會出現這種情況 d 12/31 09:10
12F：→ andyping: nw我沒用過 通常就是三個mos用3個ring 分開 因為電位不 12/31 09:10
13F：→ andyping: 同的關係 12/31 09:10
14F：→ andyping: 只是距離要拉大 12/31 09:10
15F：→ andyping: 但你這個只要用兩個ring 就好 因為有兩個mos接到同一個 12/31 09:13
16F：→ andyping: 電位 12/31 09:13
17F：→ mmonkeyboyy: 其實我覺得吼 這個多半是念電路的沒修上元件 修過元 12/31 10:23
18F：→ mmonkeyboyy: 件製程的吼 立馬就知道要幹嘛了@_@~ 12/31 10:24
19F：→ mmonkeyboyy: 不過我建議你看說明書 有幾間會有特別要求 12/31 10:24
20F：→ mmonkeyboyy: 一般會有一個三還是四的倍數去算距離的@_@ 算是 12/31 10:25
21F：→ mmonkeyboyy: layout影響設計一個蠻典型的情況 12/31 10:25
22F：推 I352: ab可以共用pwell c要另外隔 12/31 22:53
23F：推 cebelas: 要dnw喔～ 01/01 01:41
24F：推 andyping: dnw要看狀況 有些design house 為了省光罩錢或許就不用 01/01 06:40
25F：→ andyping: XD 雖然也不貴就是... 01/01 06:40
26F：推 r30385: 嘻嘻☺ 01/01 21:44
27F：推 yoyoyowu: ab共用一個dnw， c獨立一個dnw 或是三個各自一個dnw 01/04 14:27
28F：→ samm3320: dnw都可以共用吧，pwell分開就好 01/04 18:03
29F：推 mmonkeyboyy: 就是 base濃度最高的那一個獨立就可以了 01/05 07:23
30F：→ mmonkeyboyy: NMOS對p-base p-base中濃度最高那個獨立一般就可以了 01/05 07:24
31F：→ mmonkeyboyy: 或是你可以想成 那一個是channel直接對上的那一個 01/05 07:25
32F：→ mmonkeyboyy: 那一個給獨立就行了 (但這個方式對高階製程不好說) 01/05 07:25