作者jerrychu1211 (感受到 鄉民的正義了~~)
看板Electronics
標題[問題] 請教半導體材料物理量的問題
時間Mon May 25 03:10:29 2020
各位先進,
小弟學識淺薄, 想請教半導體元件物理, 常看到的一些物理量是如何得出來的
主要有 :
(1) Ｅg : bandgap (能隙/能帶)
(2) Eea : electron effinity (電子親和力)
(3) εr : reletive permittivity (相對界電常數, 也就是泛指的k值. 如 higk-k/low-k)
(4) ni : intrinsic concentration (本質載子濃度)
(5) μe/μh/μch : electron/hole/channel mobility (電子/電洞/通道遷移率)
這是很fundemental的問題, 所以想請教
這些數值是量出來的(如何量), 還是推算出來的呢? (如何推算)
也請各位先進, 為小弟解惑
謝謝
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1F：→ god145145: google 出來的 05/25 17:44
2F：→ jerrychu1211: 卻時谷哥先生會幫大家解惑, 但從以前到現在 05/26 03:30
3F：→ jerrychu1211: 我們似乎都是習其果,直接拿來應用,但小弟卻不知其因 05/26 03:31
4F：→ jerrychu1211: 想請教各位先進,是否能幫小弟解惑呢(可以不用全解) 05/26 03:33
5F：→ jerrychu1211: 或是哪裡有更適合的版, 我再將這些問題, 改發至該版 05/26 03:34
6F：推 lovealgebra: Mobility Extraction 05/26 08:39
7F：推 hexg66: Eg實驗上用光譜量出，理論上用高速電腦simulation， 05/27 11:43
8F：→ hexg66: Eg幾乎沒有解析解。 Eea也是比較離子態和電子態的光譜 05/27 11:45
9F：→ hexg66: 其餘的3個都可實驗量測，實驗強的人才能了解 05/27 11:45
10F：→ jerrychu1211: 謝謝hexg66的回覆, 所以Eg, Eea是用光譜方式量出 05/28 03:19
11F：→ jerrychu1211: 那另外三個是用什麼實驗方法量出的呢, 願聞其詳 05/28 03:20
12F：→ jerrychu1211: 換個角度問, 一種新的材料, 要如何訂出這五種數值呢 05/28 03:22
13F：→ jerrychu1211: 以目前火熱的寬能隙半導體而言GaN & SiC的這些數值 05/28 03:23
14F：→ jerrychu1211: 請教要如何得出來呢? 謝謝 05/28 03:24
15F：推 deepwoody: hall effect 05/30 12:43