看到 2011 年 IEEE 的 paper，以下這一篇： https://pdfs.semanticscholar.org/22a7/dd7d8c5827a36ff7433081bfecde90ff518d.pdf 它的 Curvature correction 架構如下： https://imgur.com/g6rdcUJ.jpg https://imgur.com/wPLErmE.jpg 我的理解是他把 Q1.Q3 的 VBE 相減，讓二次項跨在 R5A.R5B 上，產生一個 VTln(T/T0) 項，這個項與 BJT 的 VBE 電壓中的二次項，經由安排 BGP 中電阻可以消除掉。 所以 Q3 應該跟 Q1 個數一樣對嗎 ？ 而且 Q3 的 IC 會跟 Q1 接近 ？ 另外就是 Q3 的偏壓，文中說的是： biased at a temperature independent collector current obtained by forcing VBG on a resistor with low temperature coefficient. 照文字來講是 VBG 串一個電阻，再接到 Q3 ？ 最後一個問題是： 經過 curvature correction 的溫度曲線從下凹變成上凹。 我想問這個上凹的溫度曲線是怎麼來的 ？ 我按照電路架構去兜電路模擬後，仍然是下凹的形狀。 百思不得其解，想說我是不是哪裡弄錯了 ？ 謝謝大家！ -- 願你走出半生，歸來仍是少年。 --

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