作者gir26354 (呵呵)
看板Electronics
標題[討論] MOSFET Gate Charge Loss
時間Thu Sep 7 21:39:40 2017
最近在看MOSFET的效率
看到一個是Gate Charge loss有個小疑問
給的公式為Ploss=Qg*Vgs/Ts
Vgs很直觀就是閘極與源極所施的驅動電壓
Qg為在MOS從開啟到閉合或閉合至開啟所儲存/放出的電荷量
我的解釋為因為他給的是電荷量，我要算他的功耗，因為他電位差為Vgs
則利用W=Q*V P=W/t 得到上式
而不是利用電容器平行極板的P=0.5*Q*V*t
請問我這樣說明適當嗎 如果有錯請指教 謝謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.137.93.27
※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Electronics/M.1504791584.A.6AE.html
1F：→ marsplanet: 是乘Ts嗎?不是fsw?09/07 22:10
2F：推 mynameisamik: 第二個公式一個週期一充一放*2?09/07 23:23
3F：→ gir26354: 不好意思 上面打錯是/Ts 另外P=W/t09/07 23:45
※ 編輯: gir26354 (220.137.93.27), 09/07/2017 23:45:58
4F：→ gir26354: 用第二個公式怪點是在放電時vgs為0 他本身電荷放電 一 09/07 23:48
5F：→ gir26354: 般來說不會算是損耗 09/07 23:48
6F：推 kkaa02206: 一個理想RC充電的電路 把C從跨壓零到完全充飽的過程效 09/09 00:29
7F：→ kkaa02206: 率只會有50% 一半的能量會耗在電阻 只有一半的能量會存 09/09 00:29
8F：→ kkaa02206: 在電容上 用這樣去想應該就通了 09/09 00:29
9F：→ gir26354: K大這個說法是什麼意思 不太懂 09/09 23:19