作者zero06795 (zero06795)
看板Electronics
標題[問題] MIM電容 容值計算
時間Wed Aug 16 20:49:33 2017
各位先進好
問題一：想請教MIM 電容容值計算公式與平板電容計算公式是否相同；公式：C = ε0 A
/ d。
問題二：有一MIM電容量測容值約590pF,A=面積97x280=27160um(平方）、d=isolation th
ickness(SiN 0.1um)、ε0 = 8.85x10-12F/M
如果依平板電容計算公式 我怎麼都算不出約590pF的電容值，請問是我用錯公式或者那裡
有問題呢？
麻煩請指點 謝謝（手機發文未排版請見諒）
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1F：推 boson5566: 1.相同 2.介電質的介電係數沒有乘進去(ex: SiO2=3.9) 08/16 21:10
2F：→ zero06795: Google 大神告訴我 SiN 介電常數8，但相乘後除d我還是 08/16 21:20
3F：→ zero06795: 得不到約590pF,謝謝boson5566大大回答 08/16 21:20
4F：推 kameng: 問題2確定沒有錯?CMOS的話單位電容2fF/um^2已經算高了 08/17 10:03
5F：→ kameng: 這面積的cap應該不會有這麼大的電容值的 08/17 10:03