※ 引述《fakenews (賈欣雯)》之銘言： : ※ 引述《jfsu (水精靈)》之銘言： : : NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase : : NAND flash: chip erase, block erase : : NOR的最小單位是Sector,NAND是Block，應該沒有所謂的沒有page erase : : 規格表上也沒有page erase。 : : 請問，你所謂的page erase，page是多少byte?耗時多少呢?哪一家的Spec. : : 我很好奇~ : : 如果真的切到page來做erase...那鄰近的page或是sector會有很嚴重的disturb : 我想會不會是checkboard資料型態寫入後,erase不乾淨直接影響到隔壁的WL? Sorry，原來是eFlash..沒做過，目前只碰過NOR/NAND 憑你的內文，這是我推想的圖。 ╔═════════════╗ ║┌───────────┐║假設一個sector是由一些page組成。一個page上， ║│ page0 WL→ΣΣ..ΣΣ │║由一條WL接很多個cell(Σ) ║└───────────┘║ ║┌───────────┐║外面的雙線框表示sector的n-well ║│ page1 WL→ΣΣ..ΣΣ │║ 單線框表示page的p-well ║└───────────┘║ ║┌───────────┐║ ║│ page2 WL→ΣΣ..ΣΣ │║關於disturb是這樣的: ║└───────────┘║當page0做erase，WL可能0V或負壓，sector的n-well ║ sector ║會接正高壓(FN-tunneling)此時，沒有選到的page1 ╚═════════════╝與page2雖然WL是0V，但因為是共well所以會有電壓， 這就會造成資料可能會lose 你做越多次，disturb會變得嚴重，在某個cycling次數內，cell '0'的Vt會減少 而'cell 1'的Vt會增加 如果沒有做refresh，會更嚴重，soft program並非用來對付這種disturb 以上是把各別page的well切開，倘若是綁一起，那應該會更慘。 這種disturb沒得解，只有盡可能減少所造成的影響。 : : 因為是相同的well，搞不好連refresh都沒辦法救，而且chip size會撐得很大。 : 確實是一顆Embedded NV Flash Memory, eFLASH 128kB,測試條件是先cycling 10K後 : "Program 1 page (checkboard) per sector, background erased"(看不懂..) : 另外對eFLASH的一些定義: : Max module size 256kB : Write time(page/block) 1ms : Erase time(byte/page/blocl) 100ms : Endurance 10k/page, 150k/sector --

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