作者hkrist (豆)
看板Electronics
標題[問題] 電路及spice模擬結果問題
時間Fri Oct 21 19:57:45 2016
小弟使用nanosim去模擬下圖的電路
http://i.imgur.com/hZW0ybj.jpg (1)
此電路有一個switch經由EN來控制是否開啟中間的電流鏡
依照開啟或不開啟可以得到下面兩個理想上簡化後的電路
(沒有將PMOS的等效電阻畫出，但實際上應該要存在)
http://i.imgur.com/PdERdyd.jpg (2)
http://i.imgur.com/ZuAAS3s.jpg (3)
我希望Core和上面PMOS之間的節點(a)電壓可以落在1V左右
當我將VDD設為1.1V時，圖2電路中原a點的電壓値約為0.85V左右
而將VDD提升至1.2V時，此時a點電壓値又會直接飆到趨近1.2V
中間我曾試過使用1.15V，而結果a點電壓値也是會跑到將近1.15V
可以發現VDD從1V升到1.15V時，a點的電壓値會直接從0.85V飆升到1.15V
就好像VDD在1V和1.15V中間有個gap或說是斷層
但a點電壓值的變化在理論上不是應該維持線性嗎?
或是有哪些我沒考慮到的變因呢?
還請有經驗的板友們給予指教，謝謝！
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1F：推 kk123: EN='1' 電路 Floating? 10/21 21:02
抱歉，第1張圖的電路有畫錯，應該是EN進來後會先經過inv再接到PMOS和NMOS的Gate端
下面兩張簡化後的電路才是實際應該出現的情形
※ 編輯: hkrist (220.134.38.56), 10/22/2016 17:34:58
2F：推 Baneling: core是什麼電路...？ 電流如果會變，電壓會跑也很正常 10/23 01:50
3F：→ hkrist: 我這裡使用的電路是SRAM 10/23 17:23
4F：→ hkrist: 這樣的結果是正常的嗎？ 10/23 17:23