作者jimmy6247 (Neo)
看板Electronics
標題[問題] 溫度越高，費米能階越靠近Ei?
時間Sun May 15 01:58:11 2016
下面兩張圖片，都顯示在同樣參雜濃度下，溫度越高費米能階會越靠近Ei
想問一下這樣的趨勢原理何在?
http://i.imgur.com/VJWYNiU.jpg
http://i.imgur.com/pq3DEHF.jpg
還請不吝解惑~
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1F：推 deepwoody: 溫度越高 越容易ionize dopant 也就是越多載子 05/15 08:26
2F：→ deepwoody: 但是在相同參雜濃度下 載子濃度相同 所以費米能階在溫 05/15 08:27
3F：→ deepwoody: 度高的時候可以靠近Ei 使得不同溫度時載子濃度相同 05/15 08:27
4F：推 boson5566: 大略有兩個原因 一個是變溫的時候 Eg也會隨溫度變化 05/15 10:52
5F：→ boson5566: 另一個是溫度上升 intrinsic的載子濃度增加 05/15 10:53
6F：→ boson5566: 當增加超過你doping的濃度 就會變成由ni dominate 05/15 10:53