作者nick236 (nick236)
看板Electronics
標題[問題] hspice模擬和手算差異
時間Wed Apr 20 21:15:36 2016
這幾天想弄清楚Hspice.lis檔的各個參數
例如下面
subckt x1
element 1:mm1
model 0:nch.12
region Saturati
id 133.1325u
ibs -5.953e-20
ibd -1.8626p
vgs 900.0000m
vds 900.0000m
vbs 0.
vth 538.7733m
vdsat 216.9139m
vod 361.2267m
beta 2.9895m
gam eff 991.8684m
gm 477.7087u
gds 20.8218u
我的認知中 beta = UnCox*W/L
於是乎飽和區電流公式應該為 id=1/2*beta*vod^2=133.1325u
但是依照Lis檔的beta vod算出來的值卻是約1.94*10^-4
想請問這是怎麼回事呢 就算把λ算進去也相去不遠
是因為不同種的model level所以飽和電流公式不同嗎?
另外還想請問電晶體的level要怎麼看?
爬了版上發現似乎沒有人有同樣疑問 是我哪裡弄錯了嗎?
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※ 編輯: nick236 (120.126.10.79), 04/20/2016 21:16:38
1F：推 W28327688: vod不一定是平方 04/20 21:19
2F：→ nick236: 原來有這種事 可以請你在說的詳細點嗎 04/20 21:32
3F：→ CaskY: 公式沒那麼簡單 04/20 23:09
4F：推 jfsu: 真正的公式有點複雜，你可以翻一下hspice的手冊 04/21 00:39
5F：推 cpyi: 好的開始是成功的一半 你問這個問題你已經贏過很多SPICE 04/21 01:57
6F：→ cpyi: MONKEY了 level的話個位數的話1啊 2啊之類的就很接近square 04/21 01:58
7F：→ cpyi: law 因為參數很少 你自己網路找計算的公式 跟你學的Square 04/21 01:59
8F：→ cpyi: law沒有很遠 那IC的部分0.18大部分是BSIM3v3 level=49(有其 04/21 01:59
9F：→ cpyi: 它改版 自己上網找) 04/21 02:00
10F：→ cpyi: 直接找BSIM3就可以找到那些計算方法 基本上是手算不出來的 04/21 02:01
11F：→ cpyi: 但手算不出來不代表你只能用模擬器那邊亂調 基本上會做一些 04/21 02:02
12F：→ cpyi: 參數萃取 靠那些做設計 需要那些 那就是類比設計的學問了 04/21 02:03
13F：→ cpyi: 假使有心做類比請記得不是Model很複雜就只能靠模擬器跑 04/21 02:05
14F：→ cpyi: 從複雜的模擬Model 到找到設計上能用的路那就是功力 04/21 02:06
15F：推 ap4318: 如果公式準的話類比IC工程師就不用那麼多啦 04/21 09:11
16F：推 MuPei5566: 同樓上trade off跟tunning真的很考驗功力 04/21 09:45
17F：推 kk123: 而且很考驗耐心 04/21 13:11
18F：→ nick236: 受教了 各位大大 04/21 13:15