※ 引述《chao30040 (chao30040)》之銘言： : 版上的大家，大家好~~ : 我非本科系出身，論文題目是用silicon drift detector來偵測材料的特徵x光， : 測試時是利用鐵55射源激發矽晶片中的電子電洞對， : 然後產生電流脈衝經由放大器放大再送到多通道分析器作分析 : 只是目前晶片做出來了但是在測試的時候背景雜訊太大所以沒看到peak : 由於x光頻率在300PHz~30EHZ，頻率蠻高的， : 想請問要怎麼設計這頻段的帶通濾波器來把雜訊濾掉??? : 還是是要算出激發出的電流的頻率範圍作帶通濾波呢?? : 要處理像x-ray高頻率的電路在設計上有甚麼需要注意的呢 : 麻煩版上的大家了 謝謝 這是silicon drift detector的構造圖 http://imgur.com/p2RfpQx Anode 佈植 n-type Ring 和 front contact 佈植 p-type 然後power supply 正極接在anode上 負極接在ring和front contact 加130V的逆向偏壓 配合分壓電阻，產生空乏區和漂移電場(每個環大概10V上下)，用鐵55 X光射源激發電子 電洞對，使電子跑到ANODE在接前置放大器放大 所以anode上接了power supply的正極和信號線 然後有在RF版上問過了，版友說加濾光片後電子的電流頻率就和光源無關了， 請問又要怎麼判定激發出的電流頻率範圍呢?? 然後PAPER上人家的偵測器在室溫或是負10度C時都有PEAK，我用的TECOOLER溫度到達負20 度C所以我想不是溫度問題 前置放大器是使用Model 2006 Proportional Counter Preamplifier 放大器是 Model 2016 Amplifier-TCA 目前雜訊多想說就把原本用的洞洞板改用自己去洗版子然後信號線在用短一些 只是因為不知道電流的頻率範圍，所以不太清楚我要濾掉那些頻率的雜訊 --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.114.237.183 ※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Electronics/M.1442338302.A.0A4.html