作者ff1268 (iGodric)
看板Electronics
標題[問題] Bootstrap switch動態性能不好
時間Fri Aug 28 21:36:35 2015
各位好：
小弟我在實作10 bits SAR ADC使用90nm製成，動態性能一直很差，
已經有使用數位校正的技術，但性能還是上不去，
presim的結果：
100Mhz取樣率，10Mhz輸入頻率，我的ENOB只有 8.6bit;
所以在想是不是Bootstrap Switch的問題，所以對Bootstrap
Switch作1024點的FFT，結果如下
取樣率100Mhz 輸入频率 1Mhz下 ENOB=13.057 SFDR=83.33dB
但是换成 輸入频率 10Mhz下 ENOB=10.45 SFDR=69.82dB
是不是這樣的解果會導致我全電路的性能不好？
那要如何改進？
謝謝各位
電路圖如下
https://imgur.com/7ZZ3Ucg
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1F：→ rogerham: 跑Nyquist input，噴了就表示你AD用這SH會噴 08/28 22:44
2F：→ ff1268: 谢谢你的回答，弱弱的問一下Nyquist input是指取樣率一半 08/28 23:30
3F：→ ff1268: 的輸入頻率嘛？ 08/28 23:30
4F：→ opq77114: 影響switch線性度的是Ron，影響Ron的變數是那些? 08/29 00:11
5F：→ opq77114: 如何改善那些變數? 朝這方面下手應該能改善你的問題 08/29 00:12
6F：推 owenroy: M4 body接錯 08/29 00:12
7F：→ ff1268: 謝謝各位的回應，我會從Ron在想一下，應該是Ron越小，線 08/29 00:45
8F：→ ff1268: 性度越好？ 08/29 00:45
9F：→ ff1268: 謝謝owenroy的回答，M4 body不是跟souce端接body effect 08/29 00:46
10F：→ ff1268: 越小？這樣不是比較好嘛？ 08/29 00:46
11F：推 wing2359930: 推推看m4在圖中的d端的最高電位 在想想MOS的對稱性@@ 08/29 12:53
12F：推 owenroy: n2電位會比vdd高喔 08/29 20:36
13F：→ ff1268: 謝謝各位的回答，那請問這樣的電路性能怎樣算合理？ 08/29 22:42
14F：→ yudofu: 看用在哪裡跟負載大小 08/30 00:33
15F：推 h94jo3cl4: 做10bit至少12～ 08/30 20:39
16F：推 baoerking: 你計算snr取的頻寬是一樣的嗎？ 08/31 09:00
17F：→ ff1268: 謝謝各位的回答^^，請問baoerking你說的是什麼意思呢？我 08/31 11:36
18F：→ ff1268: 是在sp檔中下.fft來做運算的 08/31 11:37
19F：推 dinocyj: 這個電路只要注意ENOB嘛？ 還是有其他的要注意呢？ 謝謝: 08/31 16:24
20F：→ dinocyj: ) 08/31 16:24
21F：→ ff1268: 我是還看THD & SFDR，不知還有沒有其他重點 09/01 14:17