作者hisanick (外村尼克)
看板Electronics
標題[問題] PLL 外接大C
時間Sat Aug 23 23:27:16 2014
Hi 各位先進
最近小弟有顆PLL大C要擺在off-chip，約50nH等級
記得當年老師們有說過當使用外接passive C時
charge pump current 最好是選擇越大越好，而且希望是 mA等級的
如果我現在不考慮 CP noise
那charge pump current 選大是希望有更好的 SNR 嗎?
以下討論 CP Switch turn on 時的情況
雜訊點從外部大C Bondwire灌入至輸入的TF應該是 : (F1(s)*Kvco/s)/(1+AB)
CP signal 至輸出的TF應該是 : (F2(s)*Kvco/s)/(1+AB)
其中 F1(s)(V控制/I雜訊) = Zout_cp/(Zout_cp+R2+1/sc1) * 1/sc1 (單位是電壓)
F2 (V控制/Icp) = 1/sc1並(R2+1/sc2)
假設 Zout_cp = gmr0^2 ，那gm越大 ，雜訊電流流到vctrl更多，Open loop下更差
若電流取大那1+AB 變大程度會高於 gmr0^2 變大程度，這是老師的意思吧???
關於這情況下的Icp選取，有人有經驗嗎?
很想知道經驗下外接大C 會取多少電流~~!!!
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☆☆認識台灣地理篇選擇題☆☆
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( )2.請問基隆相對於台北為: (A)南部地區 (B)鄉下地區 (C)蠻荒地區 (D)未開化地區
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1F：推 jamtu: 絕對不是gmro的問題 我直覺這樣想方向不對 08/24 01:22
2F：→ jamtu: PLL同樣的迴路頻寬下I跟C是成正比的 08/24 01:23
3F：→ jamtu: 怎麼選取還是要看你電路參數的選取 08/24 01:24
4F：→ jamtu: behavior先選對 什麼樣的頻寬與雜訊的trade off要清楚 08/24 01:25
5F：→ jamtu: 再來考慮這樣可能的"非理想效應"問題 08/24 01:25
6F：→ jamtu: 否則同樣參數下若I變成10倍，表示Kvco應該下降10倍 08/24 01:26
7F：→ jamtu: 這同樣的問題也要列入討論才可以 08/24 01:26
8F：推 obov: 很少人會去談charge pump的random noise 08/24 13:28
9F：→ obov: 理想狀況 lock的時候事不該有任何電流 沒電流自然沒noise 08/24 13:29
10F：→ obov: filter呢 noise就是大r小c跟小r大c的差別惹 08/24 13:30
11F：→ hisanick: 安~其實我參數雜訊都選定了，只是Icp太小。讓我怕怕的 08/24 21:16
12F：→ hisanick: 約100uA那邊，又想起好像有人說過off-chip Icp的問題 08/24 21:17
13F：→ hisanick: 再想會不會有可能是外接大C的 ESR 造成些效應 08/24 21:19
14F：→ hisanick: 明找等效 Model 掛掛看好了 :) 08/24 21:21
15F：→ hisanick: 想問一下 外接電容會漏電嗎? (沒用過 <--外行人) 08/24 21:23
16F：推 jamtu: 如果外接電容的model值得信任就ok 08/28 00:36
17F：→ jamtu: 100uA絕對不會太小 08/28 00:36
18F：→ jamtu: 以晶片裡面的電流來講100uA算滿大的 08/28 00:37
19F：→ jamtu: 另外你電容是50nF不是50nH 08/28 00:37