: DRAM的製程和邏輯IC(也就是台積電所代工的)的各自的製程困難點為何? : 我的認知是DRAM每個MOSFET都要接一個電容 : 所以DRAM的更細微影製程還要考慮電容? : 只是我不太了解的是都有MOSFET : 為什麼台積電的微影製程可以走在前端 : 可是台灣的DRAM廠卻落後韓國一個世代 : 是否DRAM和一般台積電所代工的IC的各自製程著重點不同? : 謝謝大家 應該這麼說好了，DRAM或是其他所謂的記憶體製程，所注重的是〔前段製程〕， 即重視元件的製作。邏輯IC所注重的是〔後段製程〕，也就是金屬連接線之間的處理 如使用銅製程或是Low-K的材料減少RC delay。 台灣的DRAM廠並不會將太多的人力投注於後段部份，畢竟，記憶體產品的重點是在 記憶元件(或是稱為記憶細胞(cell)，如同你說的1T+1C的架構。公司會研究你要用 溝渠式(trench)或是堆疊式(stack)去長出好的電容，畢竟，這是DRAM cell的精華所在， 如果連cell都長不好，遑論其他的部份。至於其他周邊電路只要可以正常操作就已足夠 因為公司也沒太多錢讓你去燒...。 再者，因為看重的方式不同，所以不能拿來互相比較。 好比我們稱這是90奈米,65奈米的製程，這些數字... 對邏輯產品而言，指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length) 對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width) 對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離 這些都是不同的意義，是要從何比較？搞不好，有些人都分不清上述的區別！ 最後，你說台積可不可以也搞個DRAM製程？ 當然行！只是，這要花多少錢？記憶體市場的代工利潤是不是夠好？ 產能利用率高不高？......等等許多因素要考慮。韓國，如三星，幾乎是傾盡國力去 support這家公司，光是研發費用可能就遠遠超過台灣所有DRAM廠的某N季的總營收... 台灣DRAM廠多半只能尋求歐美日的結盟，簽簽技轉，空個產能出來...畢竟現在 要趕上世代的落差已是不可能的事...。 -- 對流血一週仍然不死的生物千萬不能大意……。 --

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