小弟最近在研究SDRAM的一些指令時脈圖 有一些問題想要請教大大們 可是在孤狗大師的資料都是一些簡體字 看的不是很懂希望大大們可以 幫我解惑一下 感激不盡！ 1. 為什麼讀指令會有CL的產生 而寫指令就可以即時？？ 是和本身儲存單元的物理架構有關嗎？ 2. precharge和refresh的意思看不太懂 可以白話一點說明嗎？ 3. 我看一些相關的簡體資料 都有說到為了要讓工作更有 效率 所以會利用自動預充電 但是資料都是show讀的自動 預充電時脈圖 而沒有寫的自動預充電時脈圖 是否有讀的自動預充電時脈圖？ 還是因為寫不能和預充電一起工作 所以沒有讀的自動預充電的關係嗎？ 4. 因為目前查的資料都是簡體字 看得很亂 是否有繁體的書在講命令的時 脈圖可推薦的？ --

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