作者Hyozero (123)
看板Electronics
標題[問題] OP中的每顆MOS都要在saturation嗎？
時間Mon Dec 7 15:30:49 2009
小弟最近設計一個sensor readout 電路
其中需要用到OP，所以設計了fully differential folded cascode amp
電路圖如下
http://msic.ee.ncku.edu.tw/course/analog_05242007/answer2.files/image009.gif
另外有加上CMFB
一開始以為會需要很大的gain，所以dc gain設計在70dB左右
但後來才發現大概只要40~50dB就足夠了，否則輸出會飽和掉
於是又開始調整size
也許是小弟功力不足，把gain壓到40~50dB時
沒辦法讓所有MOS在五個corner都操作在saturation區
目前是圖中的Q5和Q6沒辦法saturation，其它都可以
這樣我又想到是否可以就乾脆不管它了？
要求每顆MOS都操作在saturation區有什麼特別的意義嗎？
感謝~
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.56.28
1F：推 sean456:電流鏡要在SAT的區域才能定電流 放大器要在SAT才能線性 12/07 15:55
2F：→ sean456:放大 12/07 15:55
3F：推 sean456:主動負載要在SAT區才有大電阻效果 12/07 15:57
4F：推 cpt:不需要太大gain就改用diff. input + common source output吧 12/07 16:30
5F：→ cpt:不然L用小一點, 但matching會較差就是了 12/07 16:30
6F：推 nshnsh:主動負載在weak inversion也很大..所以不一定..... 12/08 07:56
7F：→ holamonmon:cpt大 加CS的功用在這邊是為何? 加gain嗎 12/08 17:02
8F：推 powerdown:加cs應該是cs的輸出阻抗較小 可讓gain下降 12/08 17:16