作者delia700324 (幸福的小羊)
看板Electronics
標題[問題] 請問SoC的Core中又分為H/R/LVT三種device
時間Mon Dec 7 00:16:37 2009
之前在晶圓廠做事
了解到die的電路設計
中間部分是core部分
外圍則是I/O的部分
在看WAT data時常把core內的device又分做
1)HVT(high Vt)的MOS
2)RVT(regular Vt)的MOS
3)LVT(low Vt)的MOS
三種不同性質的 MOSFET device
請問前輩們有人知道這是為什麼嗎?
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◆ From: 114.39.106.181
1F：推 smallmac:doping 濃度不同造成你的Threshold Voltage不同... 12/07 05:08
2F：→ smallmac:理論上LVT最快,但漏電流最嚴重,反之HVT最慢,但漏電就還好 12/07 05:09
3F：→ sswweeaatt:可以做Low Power的設計 12/07 14:09