※ 引述《deathcustom ()》之銘言： : 推 wwwok:推 感謝大大的解說 對我幫助很大^^ 09/12 00:04 : 推 bb7:想問一下如果是.35um呢?..vdsat理想範圍大概落在哪邊? 09/12 09:20 : → Lary:這你要去看一下TSMC的參數 最小大概是Vds-Vth>100~150 mV 09/12 11:55 : → Lary:這樣確保device在strong inversion 最大可能要看TSMC Vgs-Vth 09/12 11:56 : → Lary:多大時電子會接近saturation velocity 09/12 11:56 : 推 yingda1004:請問在不同的製程如何辨別Vod要多少才是strong invers? 09/12 12:07 : → yingda1004:和Vod大於多少才會飽和??是要自己再去跑單顆的特性圖嗎 09/12 12:08 : → yingda1004:還是製程文件中會有?可以請問一下嗎??感謝! 09/12 12:09 : → yingda1004:再請問一下.若非在Strong或速度已經飽和會有什麼影響? 09/12 12:10 : Weak Inversion : 或者sub-threashold的操作區間，I-V跟Square Rule差很多 : 更接近Exponential Rule : 至於Velosity Saturation : 簡單的說就是載子移動速度到極限（接近光速，1%光速以上就算了） : 通常是出現在short-channel device上，也就是低於0.25um都很可能會遇到 : 簡單的討論在Razavi跟Rabaey都有 : 詳細的請自己去找PAPER看 : 最簡單就是I-gm-Vgs-Vds的關係也哏以前學的差異很大 : U_0不再是一個大致固定的值 在strong inversion部分我與你的見解是相同的 但是在velocity saturation部分就不太一樣了 首先為什麼會造成velocity saturation? 因為電子的移動會受到半導體晶格與雜質的scattering而無法達到光速 這就是電子在該物質運動速度的極限(與半導體晶格和參雜物濃度有關) 當電子速度到達此極限時代表什麼? 表示電子動能很大容易在drain端形成hot electron 將元件操作在此區間很容易造成reliability issue 這是我對於為什麼將MOS操作在strong inversion之上 但是又有其限制的見解 希望對你有幫助 --

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