作者vinson (........ N NN)
看板Electronics
標題[問題] 請問一下磊晶製程的問題
時間Sun Jul 19 03:11:04 2009
假如說我要沉積20um的P-EPI
那是否我可以先沉積14um後,然後再離子植入打入一個埋層
然後再繼續長6um的P-EPI
不知道對於實際製程上來說這是可行的嗎?
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◆ From: 211.74.75.92
1F：→ ccitmdl:HVPE???? 07/19 12:13