※ 引述《robertshih (施抄)》之銘言： : 推 pow:阿要把RAM跟數位電路作在一個DIE裡面 當然不太可能有DRAM 04/24 01:43 : → pow:process通常都不支援吧 04/24 01:44 : → pow:省成本的話 就是省IO電路 省pin 還有省PCB的面積 04/24 01:45 : 抱歉 可以請您多說一點嗎 : 因為小弟只學過基礎的電子學 對於IC製程等等趨勢不甚了解 : 麻煩了 <(_ _)> DRAM一是速度慢（比SRAM更慢） 二是要持續作電壓補償動作 如果你需要的記憶體不大的話 基本上做成6T-SRAM就好 因為電壓補償很麻煩~"~ -- 主要是現在DRAM的製程都跟SRAM不同了啊 你不管是TSMC, UMC, 中芯 誰家能把DRAM跟rf/mix-signal/pure digital process弄在一起？ SRAM則沒這個限制啊 -- ╭ █◣◢█ ╮ ╭ ███◣╮ ╭═══╮ ╭═════╮ ╭═════╮ ║ ████ ╰══╯ █ ◥█╰══╯◢ ☆ ╰═╯ ◢▌ ◢╰══╯ ║ ║ ████ ◢◢◣ █◣ █ ◢█◣ █ ◢ ◢█◣ ██◣ █ ◢█◣ ╴ ║ ˙ █◥◤█ █◤ ███◤ █◢◤ █ █ █◢█ █▌█ █ █◢◤☆ ￣ρ▄ ║ ║ ◥ ◤ █ ● █◥█◣ ◥█◤ █ ◤ ◥◤◥ ◥█◤ █ ◥█◤ ╰〈╭▄﹀║ ╰New York Yankees═ ◤ ════ #40 ◤ Chien-Ming Wang═◤═══ψTheAnswer3╯ --

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