※ 引述《joeytseng (:))》之銘言： : ※ 引述《labuladuo (拉布拉多)》之銘言： : : ○ 5V : : ∣ : : ╱ : : ———︱ Q1 : : ｜ ∣ : : ︱ ↘ : : ｜ ︱—————○ V_E : : V_1 ○—10.1KΩ————︱ ︱ ︱ : : ︱ ︱ ↙ 2KΩ : : ︱ ———︱ Q2 ︱ : : ○ ︱ ≡ : : V_B ╲ : : ︱ : : ○ : : -5V : : 當 V_1 為 5V,-3V,-10V時 兩BJT在什麼區 : : 5V我會判斷 就是Q1主動 Q2截止 : : -3V跟-10V是不是要去假設Q1 Q2會在什麼區 再看求出的電壓是否符合？ : : 解答一下就蹦出答案... 請問有比較快的判斷方法嗎 : 我是覺得Q1 Q2這種架構應該會恰好一個導通 一個截止 : 不可能兩個都導通 : 因為假設兩個都導通 則V_B有兩個0.7V的壓降 導致V_B = V_B - 1.4V (矛盾) : 所以應當可以假設一個導通 一個截止 不合的話就反過來假設 : -3V時應該是 Q1:截止 Q2:主動 : -10V時應該是 Q1:截止 Q2:飽和 : 吧? 飽和條件 Ib*B > Ic(sat) ((V1-0.7)/(10.1k+2k*B))*B > (5-0.2)/2K 以近似值 上述左邊可寫成 V1-0.7/2K (V1-0.7/2K) > 2.4mA V1-0.7 > 4.8V V1 約大於 5.5V才會使得電晶體飽和 同理PNP結構的部份是要低於 -5.5V才會飽和 V1= -3V Q1 截止 Q2 主動 V1= -10 Q1 截止 Q2 飽和 --

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