※ 引述《nature0702 (Oliver)》之銘言： : 不好意思 因為之前的文章不好修改 所以再開一篇 : 我是把mos當作sw用 主要就是要比較 單顆mos 和transmission gate 哪一個比較好 : 答案是 transmission gate 因為電阻會越並聯越小 : 而且可以互補 能力不足的地方 : 再來就是想要用hspice 來驗證 : 目前做的有點沒有頭緒 : 所以把程式打上來 希望可以幫我指點 : ***nmos_Ron*** : vcc vdd gnd dc 3.3 : .param wn=3u wp=3u k=1 : mn1 d g s gnd nch l=0.35u w='wn*k' : vin d gnd dc 1v : vg g gnd dc 3.3v : c1 s gnd 1p <---這個接電容不知道有沒有錯 不知道怎麼處理才好 : .dc vin 0 3 0.01 $sweep k 1 10 1 <---應該是用.DC分析吧 : .print dc I(vin) v(d,s) Res=par('v(d,s)/I(vin)') : .end : 還會遇到一個問題 就是這樣寫 Vd電壓會等於Vs 電阻等於0 : 可是好像也不能輸出接一個電阻 這樣會有分壓效果 : 剛開始接觸 觀念還不是很好 : 希望 可以幫我解答一下 謝謝 要看TG的電阻我想這樣應該就OK了 mp1 vin 0 op vdd pch l=0.35u w=3u mn1 vin vdd op 0 nch l=0.35u w=0.8u vin vin 0 2v vdd vdd 0 3.3v .op .dc vin 0 3.3 0.01 .print rp=par('1/LX8(mp1)') rn=par('1/LX8(mn1)') +req=par('1/(LX8(mn1)+LX8(mp1))') .end --

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