※ 引述《[email protected] ()》之銘言： : ※ 引述《[email protected]》之銘言： : > 是啊， : > 其實BJT和BiCMOS的技術也都很成熟了， : > 不太清楚第一篇原PO的「技術成熟」指的是？ : > 不是的，BJT和MOS比較起來還是BJT的noise較小， : > 尤其在低頻類比應用下 : > 數位應用時的確如此， : > 但是在類比應用時，因為在同樣偏壓電流下， : > MOS的Gain比較小，所以省不省電就很難說了 : > 數位應用時的確如此，類比倒不那麼絕對。 : > 不太明白你這句話的主意，你說的Si和SiGe差別是？ : > 而且專給RF用的CMOS與BiCMOS製程之間差異頻大啊。 : > BJT仍然是高頻IC設計者的好朋友 : > 不過現在SoC吵著火紅，很多人都被迫要用RFCMOS去做了。 : 我可以補充一個嗎 不知道對不對 : 我覺得是因為MOS的體積跟BJT相比小很多 所以可以被大量應用在積體版上 : 不知道對還錯 請大家多指教 : .. : .. : .. : .. BJT單一cell的體積確實比MOS大 但是在低電壓超作時(1.8V以下),MOS的面積需要很大 才可達到夠低的overdrive及mismatch 反關BJT不管電晶體的size, vbe大約都在0.75~0.85, mismatch或flicker也比mos好很多 所以以大小而論,因該是BJT取勝 BTW 目前業界大部份都是設計BiCMOS, 截取兩者優點 以OP而言 在gm stage就採用BJT, 以降低noise及mismatch 在load部份或current mirror部份就采用CMOS, 因為MOS的gate不吃電且mirror準確度高 -- ╭──── Origin:<不良牛牧場> bbs.badcow.com.tw (210.200.247.200)─────╮ │ ↘ Welcome to SimFarm BBS -- From : [61.66.243.100] │ ╰◣◣◢ ◢◢《不良牛免費撥接→電話:40586000→帳號:zoo→密碼:zoo》 ◣◣◢ ─╯