作者aztec1234 (調適生活)
看板DC
標題Re: Canon S100 / S95 簡單心得與比較，分享如何看 …
時間Sat Sep 17 20:27:38 2011
※ 引述《AlexJude (總有人說我像小剛)》之銘言：
: 而感光元件改成背照式CMOS，如果推出的話
: 應該是市面上第一款1/1.7"最大面積的背照式CMOS機種
: (有誤的話，請麻煩跟我說一下:) )
這誤會可大了...
這得先從何謂"CMOS Image Sensor"開始說起，
CMOS的全名是Complementary Metal-Oxide Semiconductor，
互補式金屬氧化物半導體，除了感光元件外，
這是現今絕大部分的IC所採用的製程，採用此種製程製造出來的感光元件，
就是CMOS Image Sensor，但製程上的特性關係，
電路設計與CCD並不相同，我想應該不會有人對電路有興趣所以我就不提了...
除了電路設計之外，CCD採用的製程並非CMOS，
所以現在多以這樣的簡稱來分辨這兩種感光元件
CMOS製程的特點在於半導體元件一定會長在最底層，
上面則是絕緣層與金屬走線往上疊，就感光元件電路來說，
CMOS Image Sensor每一個畫素都會有一顆感光二極體(Photo-diode)，
還有對應的Sigma-Delta Modulator，這使得電路架構相對CCD來說複雜很多，
Photo-diode能受光的面積有限，也就是開口率不及CCD
當感光元件的片幅縮到1/2.X"這種DC常用的尺寸時，又要衝高畫素
開口率就更小了，開口率小進光量也跟著變少，
太少的進光量對Photo-diode來說不但光電轉換效率差，雜訊也多
所以Sony才會弄了個有趣的做法---Back Side Illuminated CMOS，
就是背照式CMOS，簡單來說就是把Photo-diode長在CMOS矽基板的"背面"，
這樣上方完全不會有絕緣層與金屬走線擋到，理論上開口率是近乎100%，
有效解決了小尺寸感光元件開口率小的問題
但如果您有看過官網上各產品的介紹，
會發現到一件事---除了1/2.X"片幅以下的相機，其他較大片幅的，
都不是背照式CMOS
原因很簡單，感光元件片幅變大後，如果畫素與1/2.X"的一樣，
甚至更少，Photo-diode受光面積至少是一樣大的，甚至還會更大，
如此一來用背照式的製程就沒有太大的意義
而且Photo-diode幾乎無阻隔的外露，很容易在高光環境下進入飽和，
也就是無論光線變化多少，光電轉換的結果幾乎都在同一個狀態，
所以背照式CMOS在高光細節下有它的劣勢
講了這麼多，其實就只有底下幾點結論:
1. 背照式CMOS 不等於 CMOS，這兩者有著很根本的不同
2. 現在所有背照式CMOS一定是1/2.X"甚至更小的片幅
3. 除非1/1.6"或1/1.7"感光元件的畫素是兩千萬以上，否則絕對是CCD或CMOS
4. 如果有任何非官方的網站寫說1/1.6"以上的片幅採用的感光元件是"背照式CMOS"
而畫素沒有特別高，那麼它
百分之一百是唬你的
(現在有一些網站把DSLR或EVIL的感光元件寫成背照式CMOS，真是有些哭笑不得...)
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◆ From: 61.60.246.94
※ 編輯: aztec1234 來自: 61.60.246.94 (09/17 20:28)
1F：推 adai69 :Dpreview上的確只寫: 09/17 20:48
2F：→ adai69 :1/1.7" Type Canon high-sensitivity CMOS 09/17 20:49
3F：→ adai69 :沒提到背照，Alex大應該只是看錯XD 09/17 20:56
4F：推 adai69 :推aztec1234的專業解說 :) 09/17 20:59
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11F：推 ftwing :太強了 09/18 22:46
12F：推 JinFa22 :CMOS sensor Canon算是很早就進去了, 主要用在DSLR 09/18 23:06
13F：→ JinFa22 :因為光應付DSLR的產能就已經不足, 所以DC一直都是用 09/18 23:06
14F：→ JinFa22 :Sony的Sensor, 有興趣的人可以去翻之前的消失, Canon 09/18 23:07
15F：→ JinFa22 :進行CMOS生產的擴充,全面使用自己的CMOS sensor 09/18 23:09
16F：→ JinFa22 :消息 09/18 23:10
17F：推 youko :推這篇 09/21 13:05
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