作者lsy1206 (眼鏡)
看板Chemistry
標題[問題] OLED的LiF陰極
時間Tue Feb 7 19:23:56 2017
在製做OLED元件時，經常會在金屬陰極與電子傳輸層之間夾一層薄薄的lithium fluoride
以增加電子注入的效率，那LiF增加電子注入效率的機制為何呢?有一說是可以讓電子透過
tunneling effect由陰極進入電子傳輸層，但為何電子透過絕緣的LiF穿隧進入電子傳輸
層的效率會比陰極直接與電子傳輸層接觸，讓電子可以直接進入電子傳輸層的效率還要
高呢? 另外除了穿隧效應，還有其他機制可以解釋電子注入效率的增加嗎?
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1F：→ faniour: 這有幾本中文書內寫的蠻細的，做OLED的人買來看 02/07 20:21
2F：→ faniour: 應該不會是困難的事，幾百元而已 02/07 20:22
3F：→ faniour: 其中一本書的作者就你們114的教授啊...... 02/07 20:25
4F：→ faniour: 看不懂拿著書殺過去不更好？ 02/07 20:26
5F：→ GALA256: Al陰極與AlQ3層若無LiF層屏障，在電子傳遞過程會不會有 02/07 22:20
6F：→ GALA256: 什麼有趣的事情發生呢？XD 02/07 22:20
7F：→ GALA256: 不確定會不會有ligand exchange 02/07 22:24
8F：推 qwerwef5535: 是不是因為2個能多啊 所以用穿隧電子直接穿過去 02/08 15:35
9F：→ qwerwef5535: 就可以忽略能接差的影響 反而因為穿隧讓注入更好 02/08 15:35
10F：→ qwerwef5535: 好像也可以順便整流 02/08 15:36