作者coyoyo (yoyo)
看板Chemistry
標題[問題] Si doping As TMAH ecthing rate
時間Mon Dec 15 13:07:39 2014
已經在很多文獻上看到
Si 摻雜Boron 可降低TMAH 蝕刻率
因而能當作 蝕刻終止層
好奇
若摻雜物改成Arsenic
那麼對TMAH 蝕刻率
將會怎麼影響？
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