作者pymax ( )
看板ChemEng
標題[問題] 關於氮化鎵缺陷密度EPD分析
時間Wed Jul 24 16:35:01 2013
小弟的磊晶完的試片是在sapphire上長一層u-GaN和n-GaN
想依照文獻做法做Etch pit density的分析
很多資料都是將試片泡在160度的磷酸6分鐘左右
但我泡出來用AFM檢視的結果表面卻是平整
並沒有出現缺陷孔洞
小弟試著提高溫度與蝕刻時間卻還是沒有結果
不知道有沒有做過這方面研究的前輩知道有可能是哪裡出錯了嗎?
感謝!!
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◆ From: 140.114.19.92
1F：推 heats:硫酸磷酸3:1 試試看 140.115.55.244 07/25 19:11