作者alittleduck (找尋夢想中...)
看板ChemEng
標題[製程] 請問TI/TIN去除蝕刻率主要是由哪個影響較高?
時間Wed Aug 31 20:56:56 2011
想問一個製程上的問題...
我雇的酸曹蝕刻率突然偏高好一陣子...
主要是測量wafer上的TI/TIN去除率(film為TI/TIN)
過的槽為NH4OH+H2O2+H2O (SC1)
請問蝕刻率偏高, 是哪個影響較大@@"?
到底是H2O2影響大還是NH4OH???
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1F：推 powereva:H2O2氧化 會加速反應 11/09 17:19