※ 引述《Harki (Brin)》之銘言： : 請問各位 : PL (photoluminescence 光激發光) : 可以藉其分析材料的能隙 : 而一般看別人都是使用 UV-vis 測後得其波長 : 再使用 E = 1240/λ : 想請問 這兩者的差異!? : 為何儀器介紹上都說 可以檢測材料的能隙!? : 謝謝!!! 就之前做固態材料的"經驗" 曾利用兩種量測"半導體"能隙的方法 1. UV-vis 量測固態粉末全反射光譜(必備積分球)經由換算可得，非一般UV方法獲得 (1-R)^2/2R...好像吧~有點忘了~ 缺點：能隙太小看不到(<1eV)，要改用IR全反射... 不同paper有不同外插方式，我到畢業還是沒弄清楚哪種才正確... 另一派人馬會把粉末均勻分散於液體，再測吸收光譜...(有讀過但不熟) 2. Temp v.s conductivity 量測溫度(ln 1/T)與導電度之關係，畫出的曲線套入固定公式(年代久遠有點忘了) 可以求得Ea(活化能) 至於算的準不準則見仁見智，說準跟說不準的兩方人馬都有自己的一套說詞~ 固態理論計算能隙，有些軟體是預設0度K溫度下計算，能隙應該會比實際值大些 這部分也是看圖說故事，如果量測出的能隙跟理論不符，又是想一套說詞解釋... 解釋合理的話，別人也不會太刁難，畢竟軟體計算的基礎各不相同 PL沒使用過... 分享一下以前實驗心得~ --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 118.168.78.183