作者leox243 (LEOX)
看板ChemEng
標題[問題] 矽奈米線的PL光譜
時間Tue Nov 2 22:12:09 2010
最近做了一陣子的無電蝕刻矽奈米線(材料是P-type (100) Si 1~3 Ohm/cm)
想把矽奈米線的PL光譜量出來，不過遇到了點問題，不知道各位有沒有甚麼見解
目前可以量PL的機器有兩台，一台是南部NDL的 JASCO FP-6600
這台光源是可變的，用150W的Xe燈和單光器分光
量出來的PL光譜在600nm處有很強的訊號
另一台是南微的微拉曼/微PL，用325nm He-Cd雷射當光源
這台在350~650nm中間一點訊號都量不到
兩邊差異很大，兩邊都各有人說量出來(其他材料)和PAPER比是差不多的 囧rz
目前和另一位先進討論(在這邊要再感謝一次那位先進)，
他那邊的意見是覺得矽奈米線的訊號應該還是在1.12ev的位置
(有另外一位學長也持一樣意見)
不過查到的論文如
http://prb.aps.org/abstract/PRB/v82/i12/e125446
及
http://ppt.cc/LhK9
一篇顯示在1.5ev，一篇顯示在650nm左右有訊號(都頗強)
讓我不禁一個頭兩個大
上來問問各位版友是否有甚麼看法
(嘆，這學期成大材料所沒開PL的光譜學...不然我就去修了)
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只有酸民才是永遠的反對黨
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 114.47.165.11
1F：→ twc319:雷射光倍頻 11/03 13:24
倍頻問題應該可以跳過，我有特地注意
2F：→ twc319:Intensity 20幾乎可以當雜訊了？？ 11/03 13:43
不明白意思，是否可以多說一點，感謝
※ 編輯: leox243 來自: 140.116.243.66 (11/03 21:14)
3F：→ twc319:第二篇的PL強度過低 可以忽略 11/04 19:38