※ 引述《goost (雪紡紗好美.可我不適穿><)》之銘言： : 請問各位化學高手 ~ 或是在半導體廠工作的各位先進~ : 一般我們所熟悉的半導體蝕刻製程.. : 都是用 HF 來溶解 矽晶圓表面的氧化物 SiO2 : 但應該是無法溶解 矽基材的部份 : 目前我的實驗遇到一個問題... : 若我今天想要直接溶解 純矽原料 (Si) ~ : 是否有適當的溶劑 可以把純矽 溶解呢?? : 另外 KOH 或 NaOH 也是常見蝕刻液的一種 : 我在書上找到他的反應方程式為 ~ : Si + 2KOH + H2O → K2SiO3 + 2H2 : 那倒底 鹼液蝕刻是對 SiO2 有作用 還是 純Si 有作用呢?? : 若是對純矽有作用的話 ~ 那我是否就可以拿 KOH 來溶解 Si wafer 嚕??? : 先感謝大家給我的指教喔 KOH溶液的確可以將silicon直接反應掉或是"溶掉" 他對於silicon 或是silicon dioxide都有作用 但是反應速度很慢 所以你真的要使用KOH 必須要加熱和添加雙氧水加速反應 不過還是很慢 可能需要一整天 最快的就是使用硝酸和氫氟酸的混酸下去做 長晶廠如果要分析晶片內部真實的金屬雜質含量 或是silicon niride和silicon carbide等東西的時候 的確會使用混酸去將晶片反應掉 或你所謂的"溶掉" 我曾經使用過"CP4"將晶片溶掉 硝酸:氫氟酸是3:1(沒記錯的話) 這個比例是個大約 因為指要硝酸多於氫氟酸就可以了 但是比例差異性不要太大 另外如果真的要使用這個配方 記的千萬要在"抽氣正常"的hood裡面做 因為反應非常劇烈 紅褐色的NOx氣體很多 如果你不趕時間 可以在混酸裡添加醋酸或是DI水 當buffer讓反應速度慢一些 不過當混酸溶液變成紅褐色 接近紅黑色的時候 代表混酸的反應劑已經不夠了 所以要換新的溶夜在繼續反應 要不然就是溶液和silicon的比例就要大一些 最後要提醒的是 請小心 這個混酸的反應真的很劇烈 產生的NOx量真的很多 -- "It's not about east or west, it's about niggaz and bitches, power and money, riderz and punks!" 這不關於東岸或是西岸,而是關於兄弟和女人,權力和金錢,領導者和卒仔....... by 2pac --

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