※ [本文轉錄自 Electronics 看板] 作者: bmwfisher (大腸直長長) 站內: Electronics 標題: [問題] 奈米科技展之主題 時間: Sat Sep 12 23:42:27 2009 (((不好意思~請各位幫忙一下~從機電板轉過來))) 各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝 以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝 -------------------------------------------- 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系) Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS ↑↑↑↑↑↑↑↑ 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上 問題： 1.為什麼III-V要反過來寫? 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓? 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程? 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所) High Mobility Technologies and Physics ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻為：高流動性之技術與其物理特性 解釋為：查了這位教授的研究領域 {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術 問題： 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動? 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心) Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics Grown on Semiconductors ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料 問題： 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢? 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思? 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or? 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心) The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體 問題： 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?-- 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎? 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系) Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) by STM ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構 問題： 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope) 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是? 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系) Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層 OR 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化) 問題： 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞? 2.high k也是高介電材料的意思? --

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 59.105.33.201 ※ 編輯: bmwfisher 來自: 59.105.33.201 (09/12 23:53)