作者wuyuyu (yueyu)
看板Cad_Cae
標題Ansys Maxwell建造非均勻背景磁場
時間Thu Jan 12 21:27:32 2023
各位好，想請教Ansys Maxwell高手
已知可以使用Tangential H Field邊界條件建造出均勻的背景磁場
那我現在想要建造一個隨著位置不同，有不同大小的非均勻背景磁場
請問Ansys Maxwell該怎麼建造非均勻背景磁場
謝謝大家
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.71.212.78 (臺灣)
※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Cad_Cae/M.1673530054.A.C47.html
1F：推 Ruhb1234: 可以用另一個Maxwell magnetostatic design 計算靜磁場 01/20 10:05
2F：→ Ruhb1234: 分布，然後選取你要計算的這個design 的整個空間，Add 01/20 10:05
3F：→ Ruhb1234: excitation-->Magnetic bias -->Non-uniform -->This P 01/20 10:05
4F：→ Ruhb1234: roject 01/20 10:05
5F：→ wuyuyu: 感謝您的回文 我會試試的 非常感謝！ 01/22 03:37