AI晶片技術專利系列三－星電子的I-Cube蓄勢待發 原文網址: https://bit.ly/3WAmATE 原文: 三星電子於2024年3月初，發布新聞稿稱「將第二代3奈米製程的晶片改名為2奈米製造」 ，遭國內外許多媒體酸是為了想超越台積電而企圖魚目混珠，令人困惑且誤導大眾。姑不 論三星電子是否真正具有2奈米的製造與量產能力，此舉反而凸顯來自台積電的競爭壓力 ，讓三星電子念茲在茲擬奮力一搏。繼半導體系列AI晶片技術專利系列2、3從技術與專利 的視角，分析台積電CoWoS與英特爾EMIB的技術後，本篇再來看看三星電子在2.5D封裝技 術面貌為何。 三星電子與台積電、英特爾一樣，都想極力發展出屬於自己的2.5D與3D封裝技術，根據三 星電子的官網，目前最新的2.5D封裝技術為I-Cube (Interposer Cube)，而3D封裝技術則 為X-Cube (eXtended Cube)。由於本系列的前兩篇都是針對2.5D封裝技術做介紹，加上 2.5D封裝又是目前市場的主流，所以本篇也以2.5D封裝技術來探討三星電子。 2.5D I-Cube分為I-CubeS與I-CubeE。如圖1-(a)所示，是三星電子的I-CubeS的半導體結 構，而圖1-(b)所示則為I-CubeE的半導體結構。I-CubeS主要強調，即便在大型的中介層 (interposer)上，搭載許多邏輯晶粒(die)與高頻寬記憶體(HBM)，不僅有著令人驚嘆的頻 寬，而且還有出色的翹曲控制(warpage control)，以及超低訊號損失與高密度記憶體相 結合，同時又有良好的熱效率控制(thermal efficiency control)。 至於I-CubeE，主要採用矽嵌入結構，透過精細圖案化實現矽橋(silicon bridge)，和 FOPLP（Fan-Out Panel Level Package，扇出型面板級封裝），實現了無矽穿孔(TSV)和 大尺寸的RDL（Redistribution Layer，重佈線層）中介層結構，不僅具成本效益，而且 有優異的翹曲控制與功率完整性(power integrity)。 乍看之下，三星電子似乎是結合了台積電的CoWoS、與英特爾的EMIB的2.5D封裝技術。然 而，通常矽中介層需要增加面積，以容納更多邏輯晶粒及HBM，而I-Cube的矽中介層比紙 張更薄，僅大約100微米，這樣的中介層，是為了承載更多的邏輯晶粒與HBM，才必須使用 大面積的中介層，但這樣的風險，就是在微觀尺度下容易產生彎曲或翹曲，造成負面影響 。為此，三星透過改變材料與其厚度，研發出可避免中介層翹曲和熱膨脹的技術，以實現 I-Cube的商業化。此外，這樣的半導體結構，還可防止運算時所產生的高熱積聚。 根據上述關於I-Cube的技術特徵，根據AI系統Lupix [1] 針對近10年的專利數據，掃描出 與三星電子的I-Cube相關且符合當今具市場價值的已獲證專利。在眾多相關專利中，其中 一項重要專利標題為「半導體封裝以及中介層」（以下稱本專利），其台灣專利號為 TWI661522B，而對應的美國專利號為US10510647B2（Semiconductor Package，半導體封 裝），分別於2019/06/01和2019/12/17獲證。AI系統Lupix根據當下的技術演化趨勢去做 計算，推斷出本專利在機電技術領域中的專利價值之PR值(Percentile Rank)為94，也就 是說，其專利價值高過94%的機電技術相關領域中的專利文獻。 如圖2所示，本專利中揭露一種半導體封裝結構之示意圖。根據其專利保護範圍來看，主 要是透過中介層(110)內以金屬材料製成的複數配線層(wiring layer, 112)進行重佈線 (redistribution)，進而電性連接至GPU(131)與HBM(132、133)等晶片的連接墊(131P、 132P、133P)，藉此縮短訊號傳輸的距離，而這樣的功能就類似矽橋。 至於包封體(140)可保護GPU(131)與HBM(132、133)等晶片，保護層(150)可保護中介層 (110)不受外部物理衝擊或化學衝擊，凸塊下金屬(underbump metallurgy，UBM)接墊 (160P)不是簡單的圓形形狀，而是在平面中具有突出部分的齒輪形狀，以增大凸塊下金屬 接墊(160P)與電性連接結構(170)之間的接觸面積，從而具有錨定效果且可分散應力 (stress)，進而提高電性連接結構(170)的可靠性。 根據本專利的半導體封裝結構，可以解決封裝過程中可能會出現的翹曲，以及底部填充樹 脂的可填充性劣化，更可以避免由於中介層的熱膨脹係數，與GPU、HBM等晶片在安裝過程 中的材料不匹配所可能出現的裂縫問題。此外，透過本專利的中介層，還可有效地增大面 積且降低成本。 針對台積電、英特爾與三星電子的2.5D版的先進封裝技術之發展，可歸納出幾個小結如下 ： 台積電的CoWoS，使中介層內的金屬線可電性連接多個晶粒的微凸塊(micro bump)，以達 到傳輸各晶片間的電子訊號，然後經由矽穿孔來連結下方PCB，讓多顆晶片可封裝一起。 英特爾的EMIB，不需要矽穿孔與中介層，僅透過矽橋即可電性連結不同的晶片並封裝在一 起。 三星電子的I-Cube，將多個晶片插入中介層，然後透過中介層內的重佈線讓多個晶片進行 訊號傳遞；此外，由於中介層的面積變大，使得可承載的晶片更多，也避免掉中介層可能 發生的翹曲。 整體而言，三星電子的I-Cube與台積電的CoWoS、英特爾的EMIB一樣，都具備低成本、低 功耗、低延遲、高頻寬、最佳化空間使用等優點，三者都有其應用場景，客戶可依照產品 的不同需求可做選擇。然而，從過去市場上的聲量來看，台積電的CoWoS在AI和高效能計 算(HPC)等領域上，可能更受市場歡迎。 心得: 三星電子在2奈米晶片製程更名一事引起輿論不一，但此舉實則反映了對台積電競爭的壓 力。其I-Cube封裝技術展現了對2.5D技術的追求，結合了薄型中介層與金屬配線，兼顧性 能與成本。相較於CoWoS和EMIB，I-Cube在可承載晶片數、翹曲控制等方面有其獨特之處 ，但市場上的聲量仍以CoWoS為主。 --

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