SK海力士、三星和美光於2024年都将量产HBM3E，积极抢夺AI商机 原文网址: https://bit.ly/3vcJaGN 原文: SK海力士公司正在加大在先进晶片封装方面的支出，希望能更多地满足AI关键零组件之高 频宽记忆体(HBM)不断成长的需求。SK海力士认为半导体产业的前50年一直都注重在前端 制程的发展，但接下来的50年将主要关注後端的封装。 AI记忆体HBM的优势核心是在於制程创新，进一步降低功耗、提高性能是巩固企业在HBM市 场领先地位的关键。因此，SK海力士预计2024年将在韩国投资超过10亿美元，以扩大和改 进其晶片制造的封装。 虽然SK海力士尚未披露2024年的资本支出预算，但分析师平均预估该数字为14 兆韩元(约 105亿美元)。这表明SK海力士将投资先进封装约十分之一的资本支出，这表示其是一个主 要优先事项。 前几年，SK海力士开创了一种封装的第三代技术HBM2E的新颖方法，该方法很快就被其他 两家主要记忆体制造商效仿。也由於这项创新让SK海力士在2019年底赢得辉达客户的青睐 。 接下来，辉达正在将SK海力士最新的HBM3和HBM3E记忆体模组用於其当前、增强型和下一 代AI GPU，包括即将推出的Hopper H100、Hopper H200(首款配备HBM3E记忆体的AI GPU) 及其下一代Blackwell B100 AI GPU。 同一时间，三星预计将在NVIDIA GTC 2024上以实体形式展示其全新大容量36GB HBM3E 12-Hi堆叠记忆体。三星预计在未来几个月内将开始量产，辉达似乎也将其纳入H200和 B100 AI GPU的主要HBM记忆体供应商。这表示三星正在努力追赶SK海力士在HBM记忆体技 术上的领先优势。 其实，2013年当SK海力士和美国合作夥伴超微向全世界推出HBM记忆体时，根本没有一家 对手能在这里与其竞争，并让其维持了两年优势内。一直到2015年底，三星才警觉在HBM 记忆体技术落後之下，终於开发出HBM2。 至於美光，已开始大量生产用於生成式AI和高效能运算的HBM3E，并成功整合至辉达H200 GPU中，该GPU将於2024年第二季开始出货。 基本上，HBM3E晶片堆叠了12个24 GB DRAM晶片，峰值记忆体频宽为每秒1.28 TB。与前身 八堆叠HBM3相比，这两个方面都提高了50%。更重要的是HBM3E晶片的高度与八层晶片相同 ，可以满足目前的封装要求，这是透过应用先进的热压缩非导电薄膜(TC NCF)技术实现的 。美光还降低了NCF材料的厚度，实现了业界最小的晶片间隙7微米。 总之，这三大记忆体厂商正加速参与这一场生成式AI盛会，抢夺未来几年的AI商机。 --

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